J. P. Ao

• Artículos de revistas (6)

• Artículos de revistas

  • Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress

    J. P. Ao

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 91, Nº 7, 2008, págs. 1004-1008

    

  • A Mechanism of Enhancement-Mode Operation of AIGaN/GaN MIS-HFET

    D. Kikuta, J. P. Ao, J. Matsuda

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1031

    

  • Temperature and Illumination Dependence of AIGaN/GaN HFET Threshold Voltage

    J. P. Ao, Y. Ohno, K. Okada, R. Takaki, D. Kikuta

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1042

    

  • Evaluation of Surface States of AlGaN/GaN HFET Using Open-Gated Structure

    D. Kikuta, J. P. Ao

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 4, 2005, pág. 683

    

  • Two-Dimensional Device Simulation of 0.05mum-Gate AlGaN/GaN HEMT

    Y. Kawakami, N. Kuze, J. P. Ao

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2039

    

  • High-Temperature Stability of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

    Y. Naoi, Y. Ohno, J. P. Ao, D. Kikuta, N. Kubota

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2051

    

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