Periodo de publicación recogido
|
|
|
A Mechanism of Enhancement-Mode Operation of AIGaN/GaN MIS-HFET
D. Kikuta, J. P. Ao, J. Matsuda
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1031
Temperature and Illumination Dependence of AIGaN/GaN HFET Threshold Voltage
J. P. Ao, Y. Ohno, K. Okada, R. Takaki, D. Kikuta
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 1042
Evaluation of Surface States of AlGaN/GaN HFET Using Open-Gated Structure
D. Kikuta, J. P. Ao
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 4, 2005, pág. 683
High-Temperature Stability of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Y. Naoi, Y. Ohno, J. P. Ao, D. Kikuta, N. Kubota
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2051
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados