Chulseung Lim

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• Artículos de revistas

  • Study of proton radiation effect to row hammer fault in DDR4 SDRAMs

    Chulseung Lim, Kyungbae Park, Geunyong Bak, Donghyuk Yun, Myungsang Park, Sanghyeon Baeg, ShiJie Wen, Richard Wong

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 85-90

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  • An alternative approach to measure alpha-particle-induced SEU cross-section for flip-chip packaged SRAM devices: High energy alpha backside irradiation

    Saqib Ali Khan, Chulseung Lim, Geunyong Bak, Sanghyeon Baeg, Soonyoung Lee

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 69, 2017, págs. 100-108

    

  • Experiments and root cause analysis for active-precharge hammering fault in DDR3 SDRAM under 3 × nm technology

    Kyungbae Park, Chulseung Lim, Donghyuk Yun, Sanghyeon Baeg

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 57, 2016, págs. 39-46

    • Resumen
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