ShiJie Wen

• Artículos de revistas (4)

• Artículos de revistas

  • Correctable and uncorrectable errors using large scale DRAM DIMMs in replacement network servers

    Sanghyeon Baeg, Mirza Qasim, Junhyeong Kwon, Tan Li, Nilay Gupta, ShiJie Wen, Satyadev Kolli

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 99, 2019, págs. 104-112

    • Resumen
    

  • Modeling and analysis of single-event transient sensitivity of a 65 nm clock tree

    Yuanqing Li, Li Chen, Issam Nofal, Mo Chen, Haibin Wang, Rui Liu, Qingyu Chen, Miloš Krstić, Shuting Shi, Gang Guo, Sang H. Baeg, ShiJie Wen, Richard Wong

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 87, 2018, págs. 24-32

    • Resumen
    

  • Study of proton radiation effect to row hammer fault in DDR4 SDRAMs

    Chulseung Lim, Kyungbae Park, Geunyong Bak, Donghyuk Yun, Myungsang Park, Sanghyeon Baeg, ShiJie Wen, Richard Wong

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 85-90

    • Resumen
    

  • Temporal and frequency characteristic analysis of margin-related failures caused by an intermittent nano-scale fracture of the solder ball in a BGA package device

    Hosung Lee, Sanghyeon Baeg, Nelson Hua, ShiJie Wen

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 69, 2017, págs. 88-99

    

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