Alexander L. Shluger

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • An oxygen vacancy mediated Ag reduction and nucleation mechanism in SiO2 RRAM devices

    K. Patel, J. Cottom, Michel Bosman, A.J. Kenyon, Alexander L. Shluger

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 98, 2019, págs. 144-152

    • Resumen
    

  • Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence

    W. Goes, Y. Wimmer, A. Mounir EL Sayed, G. Rzepa, M. Jech, Alexander L. Shluger, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 87, 2018, págs. 286-320

    • Resumen
    

  • Measuring Site-Specific Cluster--Surface Bond Formation

    Hans-Joachim Güntherodt, Adam S. Foster, Clemens Barth, Regina Hoffmann, Risto M. Nieminen, Alexander L. Shluger, Hans J. Hug, Michael Reichling

    Journal of the American Chemical Society: JACS, ISSN 0002-7863, Vol. 127, Nº. 50, 2005, págs. 17863-17866

    

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