Michel Bosman

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • Life in the Clinic

    Michel Bosman

    Harvard Design Magazine: architecture, landscape architecture, urban design and planning, ISSN 1093-4421, no. 47, 2019, pág. 115

    

  • An oxygen vacancy mediated Ag reduction and nucleation mechanism in SiO2 RRAM devices

    K. Patel, J. Cottom, Michel Bosman, A.J. Kenyon, Alexander L. Shluger

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 98, 2019, págs. 144-152

    • Resumen
    

  • Compliance current dominates evolution of NiSi2 defect size in Ni/dielectric/Si RRAM devices

    Sen Mei, Michel Bosman, Raghavan Nagarajan, Xing Wu, Kin Leong Pey

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 61, 2016, págs. 71-77

    • Resumen
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