Study of a failure mechanism during UIS switching of planar PT-IGBT with current sense cell.

• Autores: G. Breglio, A. Irace, E. Napoli, P. Spirito, K. Hamada, T. Nishijima, T. Ueta
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1756-1760
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)