Periodo de publicación recogido
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SiC power MOSFETs performance, robustness and technology maturity
A. Castellazzi, A. Fayyaz, G. Romano, L. Yang, M. Riccio, A. Irace
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 58, 2016, págs. 164-176
1300 V, 2 ms pulse inductive load switching test circuit with 20 ns selectable crowbar intervention.
L. Rossi, M. Riccio, E. Napoli, A. Irace, G. Breglio, P. Spirito
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1386-1390
Detection of localized UIS failure on IGBTs with the aid of lock-in thermography.
G. Breglio, A. Irace, E. Napoli, M. Riccio, P. Spirito, K. Hamada, T. Nishijima, T. Ueta
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1432-1434
New developments of THERMOS3, a tool for 3D electro-thermal simulation of smart power MOSFETs.
A. Irace, G. Breglio, P. Spirito
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1696-1700
Study of a failure mechanism during UIS switching of planar PT-IGBT with current sense cell.
G. Breglio, A. Irace, E. Napoli, P. Spirito, K. Hamada, T. Nishijima, T. Ueta
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1756-1760
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