M. Masmoudi

• Artículos de revistas (4)

• Artículos de revistas

  • Characterization of HTRB stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures

    N. Moultif, E. Joubert, M. Masmoudi, O. Latry

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 243-248

    • Resumen
    

  • Application of the topological gradient to image restoration and edge detection.

    L. Jaafar Belaid, M. Jaoua, M. Masmoudi, L. Siala

    Engineering analysis with boundary elements, ISSN 0955-7997, Vol. 32, Nº. 11, 2008, págs. 891-899

    

  • Study of hot-carrier effects on power RF LDMOS device reliability.

    M. Gares, M.A. Belaïd, H. Maanane, M. Masmoudi, J. Marcon, K. Mourgues, PH. Eudeline

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1394-1399

    

  • Comparative analysis of RF LDMOS capacitance reliability under accelerated ageing tests.

    M.A. Belaïd, K. Ketata, M. Gares, K. Mourgues, M. Masmoudi, K. Yasutake

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 1, 2007, págs. 59-64

    

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