Periodo de publicación recogido
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Determination of safe reliability region over temperature and current density for through wafer vias
C.S. Whitman, Michael G. Meeder, P. J. Zampardi
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 68, 2017, págs. 5-12
Prediction of transmission line lifetimes over temperature and current density.
C.S. Whitman
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 488-494
C.S. Whitman
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 965-973
Acceleration factors for THB induced degradation of AlGaAs/InGaAs pHEMT devices.
L. Marchut, C.S. Whitman
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 990-994
C.S. Whitman
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1166-1174
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