F. Iannuzzo

• Artículos de revistas (5)

• Artículos de revistas

  • Experimental study about gate oxide damages in patterned MOS capacitor irradiated with heavy ions.

    G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1033-1037

    

  • Instable mechanisms during unclamped operation of high power IGBT modules.

    G. Busatto, C. Abbate, F. Iannuzzo, P. Cristofaro

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1363-1369

    

  • Experimental evidence of �latent gate oxide damages� in medium voltage power MOSFET as a result of heavy ions exposure.

    G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1306-1309

    

  • IGBT modules robustness during turn-off commutation.

    G. Busatto, C. Abbate, B. Abbate, F. Iannuzzo

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1435-1439

    

  • High performance, FPGA-based test apparatus for unclamped inductive switching of IGBTs.

    F. Iannuzzo

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1449-1452

    

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