A. Porzio

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• Artículos de revistas

  • Experimental study about gate oxide damages in patterned MOS capacitor irradiated with heavy ions.

    G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1033-1037

    

  • Experimental evidence of �latent gate oxide damages� in medium voltage power MOSFET as a result of heavy ions exposure.

    G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1306-1309

    

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