Shichan Zou

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  • Influences of silicon-rich shallow trench isolation on total ionizing dose hardening and gate oxide integrity in a 130 nm partially depleted SOI CMOS technology

    Lei Song, Zhiyuan Hu, Mengying Zhang, Xiaonian Liu, Lihua Dai, Zhengxuan Zhang, Shichan Zou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 74, 2017, págs. 1-8

    • Resumen
    

  • Degradation induced by TID radiation and hot-carrier stress in 130-nm short channel PDSOI NMOSFETs

    Lihua Dai, Xiaonian Liu, Mengying Zhang, Leqing Zhang, Zhiyuan Hu, Dawei Bi, Zhengxuan Zhang, Shichan Zou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 74, 2017, págs. 74-80

    • Resumen
    

  • Investigation of read disturb in split-gate memory and its feasible solution

    Wenyi Zhu, Binghan Li, Tao Yu, Weiran Kong, Shichan Zou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 68, 2017, págs. 51-56

    • Resumen
    

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