P.M. Lenahan

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • Bias temperature instabilities in 4H SiC metal oxide semiconductor field effect transistors: Insight provided by electrically detected magnetic resonance

    P.M. Lenahan, M.A. Anders, R.J. Waskiewicz, A.J. Lelis

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 1-6

    • Resumen
    

  • Band diagram for low-k/Cu interconnects: The starting point for understanding back-end-of-line (BEOL) electrical reliability

    Michael J. Mutch, Thomas Pomorski, Brad C. Bittel, Corey J. Cochrane, P.M. Lenahan, Xin Liu, Robert J. Nemanich, Justin Brockman, Marc French, Markus Kuhn, Benjamin French, S.W. King

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 201-213

    • Resumen
    

  • Deep level defects involved in MOS device instabilities.

    P.M. Lenahan

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 890-898

    

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