R.D. Schrimpf

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • Total ionizing dose effects in shallow trench isolation oxides.

    F. Faccio, H.J. Barnaby, X.J. Chen, D.M. Fleetwood, L. Gonella, M. McLain, R.D. Schrimpf

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 1000-1007

    

  • Effects of device aging on microelectronics radiation response and reliability.

    D.M. Fleetwood, M.P. Rodgers, L. Tsetseris, X.J. Zhou, I. Batyrev, S. Wang, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, págs. 1075-1085

    

  • Hydrogen in MOSFETs ¿ A primary agent of reliability issues.

    S.T. Pantelides, L. Tsetseris, S.N. Rashkeev, X.J. Zhou, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 903-912

    

Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.