Periodo de publicación recogido
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Total ionizing dose effects in shallow trench isolation oxides.
F. Faccio, H.J. Barnaby, X.J. Chen, D.M. Fleetwood, L. Gonella, M. McLain, R.D. Schrimpf
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 1000-1007
Effects of device aging on microelectronics radiation response and reliability.
D.M. Fleetwood, M.P. Rodgers, L. Tsetseris, X.J. Zhou, I. Batyrev, S. Wang, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, págs. 1075-1085
Hydrogen in MOSFETs ¿ A primary agent of reliability issues.
S.T. Pantelides, L. Tsetseris, S.N. Rashkeev, X.J. Zhou, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 903-912
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