Periodo de publicación recogido
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A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices
A. Watanabe, I. Omura
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 458-461
Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena
M. Tsukuda, S. Abe, K. Hasegawa, T. Ninomiya, I. Omura
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 482-485
R.N. Tripathi, M. Tsukuda, I. Omura
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 505-509
S. Abe, K. Hasegawa, M. Tsukuda, Koichi Wada, I. Omura, T. Ninomiya
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 465-469
Real-time imaging of temperature distribution inside a power device under a power cycling test
A. Watanabe, R. Nagao, I. Omura
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 490-494
Clamp type built-in current sensor using PCB in high-voltage power modules
M. Tsukuda, K. Nakashima, S. Tabata, K. Hasegawa, I. Omura
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 517-521
Power Electronics Innovation with Next Generation Advanced Power Devices
Y. Sato, H. Tadano, H. Ohashi, I. Omura, S. Matsumoto
IEICE transactions on communications, ISSN 0916-8516, Vol. 87, Nº 12, 2004, pág. 3422
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