Periodo de publicación recogido
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Jian Ren, Dawei Yan, Yang Zhai, Wenjie Mou, Xiaofeng Gu
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 61, 2016, págs. 82-86
Hot electrons induced degradation in lattice-matched InAlN/GaN high electron mobility transistors
Jian Ren, Dawei Yan, Wenjie Mou, Yang Zhai, Guofeng Wang, Xiaofeng Gu
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 56, 2016, págs. 34-36
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