Periodo de publicación recogido
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Design and optimization of LDMOS-SCR devices with improved ESD protection performance
Hailian Liang, Huafeng Cao, Xiaofeng Gu, Zixiang Guo
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 61, 2016, págs. 115-119
Investigation on LDMOS-SCR with high holding current for high voltage ESD protection
Hailian Liang, Xiuwen Bi, Xiaofeng Gu, Huafeng Cao, Yun Zhang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 61, 2016, págs. 120-124
Hot electrons induced degradation in lattice-matched InAlN/GaN high electron mobility transistors
Jian Ren, Dawei Yan, Wenjie Mou, Yang Zhai, Guofeng Wang, Xiaofeng Gu
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 56, 2016, págs. 34-36
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