C.M. Tan

• Artículos de revistas (7)

• Artículos de revistas

  • Behavior of hot carrier generation in power SOI LDNMOS with shallow trench isolation (STI).

    J. Liao, C.M. Tan, G. Spierings

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1038-1043

    

  • Electromigration in width transition copper interconnect.

    A. Roy, Y. Hou, C.M. Tan

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1086-1089

    

  • Analysis of humidity effects on the degradation of high-power white LEDs.

    C.M. Tan, B.K. Eric Chen, G. Xu, Y. Liu

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1226-1230

    

  • An approach to statistical analysis of gate oxide breakdown mechanisms.

    C.M. Tan, N. Raghavan

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1336-1342

    

  • Enhanced finite element modelling of Cu electromigration using ANSYS and matlab.

    W. Li, C.M. Tan

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1497-1501

    

  • Finite element modeling of capacitive coupling voltage contrast.

    C.M. Tan, S. Yanuar, T.C. Chai

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1555-1560

    

  • Room temperature observation of point defect on gold surface using thermovoltage mapping.

    A. Roy, C.M. Tan, S.J. O'Shea, K. Hippalgaonkar, W. Hofbauer

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1580-1584

    

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