G.J. Papaioannou

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• Artículos de revistas

  • Investigation of defects introduced by static and dynamic hot carrier stress on SOI partially depleted body-contact MOSFETs.

    M.A. Exarchos, G.J. Papaioannou, J. Jomaah, F. Balestra

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1018-1023

    

  • Accelerated lifetime test of RF-MEMS switches under ESD stress.

    J. Ruan, N. Nolhier, G.J. Papaioannou, D. Trémouilles, V. Puyal, C. Villeneuve, T. Idda, F. Coccetti, R. Plana

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1256-1259

    

  • ESD failure signature in capacitive RF MEMS switches.

    J. Ruan, G.J. Papaioannou, N. Nolhier, N. Mauran, Marise Bafleur, F. Coccetti, R. Plana

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1237-1240

    

  • Reliability and defectivity comparison of n- and p-channel SLS ELA polysilicon TFTs fabricated with a novel crystallization technique.

    D.C. Moschou, M.A. Exarchos, D.N. Kouvatsos, G.J. Papaioannou, A. Arapoyanni, A.T. Voutsas

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1544-1548

    

  • An experimental study of the thermally activated processes in polycrystalline silicon thin film transistors.

    L. Michalas, M. Exarchos, G.J. Papaioannou, D.N. Kouvatsos, A.T. Voutsas

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 12, 2007, págs. 2058-2064

    

  • Performance and reliability of SLS ELA polysilicon TFTs fabricated with novel crystallization techniques.

    D.C. Moschou, M.A. Exarchos, D.N. Kouvatsos, G.J. Papaioannou, A.T. Voutsas

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1378-1383

    

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