D. Dankovic

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  • NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors

    N. Stojadinovic, S. Djoric-Veljkovic, V. Davidovic, S. Golubovic, S. Stankovic, A. Prijić, Z. Prijić, I. Manic, D. Dankovic

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 135-141

    • Resumen
    

  • A review of pulsed NBTI in P-channel power VDMOSFETs

    D. Dankovic, I. Manic, A. Prijić, V. Davidovic, Z. Prijić, S. Golubovic, S. Djoric-Veljkovic, A. Paskaleva, D. Spassov, N. Stojadinovic

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 82, 2018, págs. 28-36

    • Resumen
    

  • Effects of low gate bias annealing in NBT stressed p-channel power VDMOSFETs.

    I. Manic, D. Dankovic, S. Djoric-Veljkovic, V. Davidovic, S. Golubovic, N. Stojadinovic

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1003-1007

    

  • Negative bias temperature instability in n-channel power VDMOSFETs.

    D. Dankovic, I. Manic, V. Davidovic, S. Djoric-Veljkovic, S. Golubovic, N. Stojadinovic

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1313-1317

    

  • Negative bias temperature instabilities in sequentially stressed and annealed p-channel power VDMOSFETs.

    D. Dankovic, I. Manic, V. Davidovic, S. Djoric-Veljkovic, S. Golubovic, N. Stojadinovic

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1400-1405

    

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