NBTI: Experimental investigation, physical modelling, circuit aging simulations and verification
C. Schlünder, K. Puschkarsky, G.A. Rott, W. Gustin, H. Reisinger
págs. 1-10
págs. 11-19
Kazuki Watanabe, Yoshiharu Kariya, Naoyuki Yajima, Kizuku Obinata, Yoshiyuki Hiroshima, Shunichi Kikuchi, Akiko Matsui, Hiroshi Shimizu
págs. 20-27
A review of pulsed NBTI in P-channel power VDMOSFETs
D. Dankovic, I. Manic, A. Prijić, V. Davidovic, Z. Prijić, S. Golubovic, S. Djoric-Veljkovic, A. Paskaleva, D. Spassov, N. Stojadinovic
págs. 28-36
págs. 37-41
págs. 42-50
Thermal lifetime estimation method of IGBT module considering solder fatigue damage feedback loop
Bing Gao, Fan Yang, Minyou Chen, Yigao Chen, Wei Lai, Chao Liu
págs. 51-61
págs. 62-83
Parameter driven monitoring for a flip-chip LED module under power cycling condition
J. Magnien, L. Mitterhuber, J. Rosc, F. Schrank, S. Hörth, M. Hutter, S. Defregger, E. Kraker
págs. 84-89
págs. 90-99
págs. 100-112
págs. 113-123
págs. 124-129
págs. 130-135
págs. 136-146
A fast fault injection platform of multiple SEUs for SRAM-based FPGAs
Rongsheng Zhang, Liyi Xiao, Jie Li, Xuebing Cao, Chunhua Qi, Jiaqiang Li, Mingjiang Wang
págs. 147-152
págs. 153-158
págs. 159-164
Mössbauer studies of β → α phase transition in Sn-rich solder alloys
Piotr Zachariasz, Agata Skwarek, Balázs Illés, Jan Żukrowski, Tamás Hurtony, Krzysztof Witek
págs. 165-170
Bakhtiar Ali, Mohd Faizul Mohd Sabri, Suhana Mohd Said, Nazatul Liana Sukiman, Iswadi Jauhari, Mohammad Hossein Mahdavifard
págs. 171-178
págs. 179-189
págs. 190-196
págs. 197-203
págs. 204-212
págs. 213-223
págs. 224-227
págs. 228-234
págs. 235-243
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