pág. 1908
pág. 1911
Over 40-Gbit/s InP HEMT ICs for Optical Communication Systems
M. Sato, S. Masuda, K. Sawada, K. Makiyama, T. Takahashi, T. Suzuki, Y. Nakasha, H. Kano
pág. 1916
pág. 1923
pág. 1929
pág. 1935
pág. 1943
RF Performance of Diamond Surface-Channel Field-Effect Transistors
H. Ishizaka, K. S. Song, M. Tachiki, H. Kawarada, H. Umezawa, S. Miyamoto, H. Matsudaira
pág. 1949
pág. 1955
TCAD Challenges for Heterostructure Microelectronics
B. Polsky, K. El Sayed, A. Wettstein, E. Lyumkis, R. Mickevicius, O. Penzin
pág. 1960
pág. 1968
Field Configurable Self-Assembly: A New Heterogeneous Integration Technology
pág. 1977
pág. 1985
pág. 1994
pág. 2000
pág. 2004
First Microwave Characteristics of InGaAlAs/GaAsSb/InP Double HBTs
P. Bove, H. Lahreche, R. Langer, X. Zhu, D. Pavlidis, G. Y. Zhao
pág. 2010
pág. 2015
pág. 2022
A Novel Pt-AlGaN/GaN Heterostructure Schottky Diode Gas Sensor on Si
E. L. Piner, J. Schwank, S. Hubbard, G. Y. Zhao, W. Sutton, D. Pavlidis
pág. 2027
Reliability Analysis of GaN-Based LEDs for Solid State Illumination
F. Rampazzo, E. Zanoni, A. Cavallini, M. Manfredi, G. Meneghesso, S. Levada, R. Pierobon
pág. 2032
pág. 2039
pág. 2043
pág. 2051
Low Noise and Low Distortion Performances of an AlGaN/GaN HFET
T. Murata, K. Inoue, T. Tanaka, H. Ishikawa, T. Egawa, Y. Hirose, Y. Ikeda, M. Ishii
pág. 2058
Advanced RF Characterization and Delay-Time Analysis of Short Channel AlGaN/GaN Heterojunction FETs
Y. Okamoto, T. Nakayama, H. Miyamoto, M. Kuzuhara, T. Inoue, Y. Ando, K. Kasahara
pág. 2065
High-Quality AlGaN/GaN HEMTs on Epitaxial AlN/Sapphire Templates
H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, T. Shibata, Motoshi Tanaka, M. Sakai, K. I. Asano, S. Arulkumaran
pág. 2071
Growth of 100-mm-Diameter AlGaN/GaN Heterostructures on Sapphire Substrates by MOVPE
T. Egawa, T. Jimbo, Motoshi Tanaka, M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa
pág. 2077
pág. 2082
pág. 2085
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